- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄369201 > 2SK2734 (Hitachi,Ltd.) Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SK2734 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅?通道場效應晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數： | 2/9頁 |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | 2SK2734 |
2SK2734
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
30
V
Gate to source voltage
±20
V
Drain current
5
A
Drain peak current
Note1
20
A
Body to drain diode reverse drain current I
DR
Channel dissipation
5
A
Pch
0.9
W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Note:
1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1 %
Tstg
–55 to +150
°C
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Drain to source breakdown
voltage
V
(BR)DSS
30
—
—
V
I
D
= 10mA, V
GS
= 0
Gate to source breakdown
voltage
V
(BR)GSS
±20
—
—
V
I
G
= ±100
μ
A, V
DS
= 0
Zero gate voltege drain current
I
DSS
I
GSS
V
GS(off)
R
DS(on)
R
DS(on)
|y
fs
|
Ciss
—
—
10
μ
A
μ
A
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
V
GS
= ±16V, V
DS
= 0
I
D
= 1mA, V
DS
= 10V
I
D
= 2.5A, V
GS
= 10V
I
D
= 2.5A, V
GS
= 4V
I
D
= 2.5A, V
DS
= 10V
V
DS
= 10V
V
GS
= 0
f = 1MHz
Gate to source leak current
—
—
±10
Gate to source cutoff voltage
1.0
—
2.0
Static drain to source on state
—
0.04
0.055
S
Note2
resistance
—
0.055
0.08
Note2
Forward transfer admittance
4
7
—
Note2
Input capacitance
—
550
—
pF
Output capacitance
Coss
—
380
—
pF
Reverse transfer capacitance
Crss
—
155
—
pF
Turn-on delay time
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
DF
—
14
—
ns
V
GS
= 10V, I
D
= 2.5A
R
L
= 4
Rise time
—
80
—
ns
Turn-off delay time
—
80
—
ns
Fall time
—
65
—
ns
Body to drain diode forward
voltage
—
1.0
—
V
I
D
= 5A, V
GS
= 0
Body to drain diode reverse
recovery time
Note:
2. Pulse test
t
rr
—
40
—
ns
I
= 5A, V
= 0
diF/ dt = 50A/μs
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2735L | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK2735S | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK2735 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK2737 | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2795 | Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK2735L(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK2736(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK2738(E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| 2SK2740 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FN RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK2744 | 功能描述:MOSFET N-CH 50V 45A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。