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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK2735L |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管高速電源開關(guān) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/7頁(yè) |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | 2SK2735L |
2SK2735(L), 2SK2735(S)
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
*
1
I
DR
Pch*
2
30
V
Gate to source voltage
±
20
V
Drain current
20
A
Drain peak current
80
A
Body to drain diode reverse drain current
20
A
Channel dissipation
20
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Notes: 1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1 %
2. Value at Tc = 25
°
C
Tstg
–55 to +150
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2735S | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK2735 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK2737 | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2795 | Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier |
| 2SK2796 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK2735L(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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