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參數資料
| 型號： | 2SK3070(L) |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 75 A, 40 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | LDPAK-3 |
| 文件頁數： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 60K |
| 代理商： | 2SK3070(L) |
2SK3070(L),2SK3070(S)
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-684G (Z)
8th. Edition
Feb. 1999
Features
Low on-resistance
R
DS(on) =4.5m typ.
Low drive current
4V gate drive device can be driven from 5V source
Outline
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
1
2
3
4
1
2
3
4
LDPAK
G
D
S
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3072 | 30 mA, 450 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SK3077 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SK3078 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SK3079A | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 2SK3079 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK3070L-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK3070S | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3070STL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3072 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 2SK3072-TB-E | 制造商:SANYO 功能描述:Nch 450V 0.03A 275 bo Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 450V 0.03A TO-253 |
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