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APT21N50Q

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APT21N50Q
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
APT
TO-247
02+
-

APT21N50Q
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
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您是不是要找： APT22F100J APT22F120B2 APT22F120L APT22F80B APT22F80S APT23F60B APT23F60S APT24F50B APT24F50S

APT21N50Q PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT21N50Q 技術參數

APT21M100J 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:21A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:380 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:260nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8500pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT20SCD65K 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 32A Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 電流 - 平均整流（Io）:32A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.8V @ 20A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:400μA @ 650V 不同?Vr，F 時的電容:680pF @ 100mV，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-2 供應商器件封裝:TO-220 [K] 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 APT20SCD120S 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 68A (DC) Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:68A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.8V @ 20A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:400μA @ 1200V 不同?Vr，F 時的電容:1135pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA 供應商器件封裝:D3Pak 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 APT20SCD120B 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 68A (DC) 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:- 零件狀態:有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:68A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.8V @ 20A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:400μA @ 1200V 不同?Vr，F 時的電容:1135pF @ 0V，1MHz 安裝類型:- 封裝/外殼:- 供應商器件封裝:- 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:30 APT20N60SC3G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20.7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:190 毫歐 @ 13.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:114nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2440pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA 供應商器件封裝:D3Pak 標準包裝:30 APT24M120B2 APT24M120L APT24M80B APT24M80S APT25GLQ120JCU2 APT25GN120B2DQ2G APT25GN120BG APT25GN120SG APT25GP120BDQ1G APT25GP120BG APT25GP90BDQ1G APT25GP90BG APT25GR120B APT25GR120BD15 APT25GR120BSCD10 APT25GR120S APT25GR120SD15 APT25GR120SSCD10