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APT47N60BCFG

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT47N60BCFG
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
APT
TO-247B
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨！

APT47N60BCFG
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
APT
TO-247 [B]
09/10+
-
假一罰十，百分百原裝正品

APT47N60BCFG
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F
9600
TO-247 [B]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原裝正品。優(yōu)勢供應

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1

您是不是要找： APT47N60SC3G APT47N65BC3G APT48M80B2 APT48M80L APT4F120K APT4M120K APT5010B2FLLG APT5010B2LLG APT5010JLLU2

APT47N60BCFG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT47N60BCFG PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 600V 46A TO-247
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列
CoolMOS™
標準包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

APT47N60BCFG 技術參數(shù)

APT47N60BC3G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:47A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:260nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7015pF @ 25V 功率 - 最大值:417W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT47M60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:49A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 33A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:330nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13190pF @ 25V 功率 - 最大值:540W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT47GA60JD40 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 87A 283W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:87A 功率 - 最大值:283W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，47A 電流 - 集電極截止（最大值）:275μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:6.32nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:10 APT47F60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:49A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 33A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:330nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13190pF @ 25V 功率 - 最大值:540W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT46GA90JD40 功能描述:IGBT Module PT Single 900V 87A 284W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:87A 功率 - 最大值:284W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.1V @ 15V，47A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:4.17nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT5010JLLU3 APT5010JVRU2 APT5010JVRU3 APT5010LFLLG APT5010LLLG APT5012JN APT5014BLLG APT5014SLLG APT5014SLLG/TR APT5016BFLLG APT5016BLLG APT5018BLLG APT5020BN APT5020BNFR APT5022BNG APT5024BLLG APT5025BN APT50DF170HJ