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APT48M60JN

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APT48M60JN
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
APT
MODULE
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

APT48M60JN
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
86530
APT
MODULE
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！！

APT48M60JN
深圳市科思奇電子科技有限公司
深圳市科思奇電子科技有限公司
聯系人：林小姐/歐陽先生
電話：0755-832450508278593918923762408微信同號
地址：深圳市福田區上步工業區501棟1109-1110室
資質：營業執照
6000
APT
原廠原裝
23+
-
只做原裝正品

1/1頁 40條/頁共3條
1

您是不是要找： APT48M80B2 APT48M80L APT4F120K APT4M120K APT5010B2FLLG APT5010B2LLG APT5010JLLU2 APT5010JLLU3 APT5010JVRU2

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APT48M60JN 技術參數

APT47N65BC3G 功能描述:MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:47A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:260nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7015pF @ 25V 功率 - 最大值:417W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT47N60SC3G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:47A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:260nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7015pF @ 25V 功率 - 最大值:417W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA 供應商器件封裝:D3 [S] 標準包裝:1 APT47N60BC3G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:47A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:260nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7015pF @ 25V 功率 - 最大值:417W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT47M60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:49A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 33A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:330nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13190pF @ 25V 功率 - 最大值:540W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT47GA60JD40 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 87A 283W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:87A 功率 - 最大值:283W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，47A 電流 - 集電極截止（最大值）:275μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:6.32nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:10 APT5010JVRU3 APT5010LFLLG APT5010LLLG APT5012JN APT5014BLLG APT5014SLLG APT5014SLLG/TR APT5016BFLLG APT5016BLLG APT5018BLLG APT5020BN APT5020BNFR APT5022BNG APT5024BLLG APT5025BN APT50DF170HJ APT50DL120HJ APT50DL60HJ