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APT50GN60BDQ3G

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  • APT50GN60BDQ3G
    APT50GN60BDQ3G

    APT50GN60BDQ3G

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83286481

    地址:坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心(A塔)1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • TO-247-3

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優勢產品

  • APT50GN60BDQ3G
    APT50GN60BDQ3G

    APT50GN60BDQ3G

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 5000

  • Microchip Technology

  • TO-247-3

  • 21+

  • -
  • 質量保真,價格實惠,假一罰十

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
APT50GN60BDQ3G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
APT50GN60BDQ3G 技術參數
  • APT50GN60BDQ2G 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 107A 366W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):107A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):150A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.85V @ 15V,50A 功率 - 最大值:366W 開關能量:1185μJ(開),1565μJ(關) 輸入類型:標準 柵極電荷:325nC 25°C 時 Td(開/關)值:20ns/230ns 測試條件:400V,50A,4.3 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT50GN120L2DQ2G 功能描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 134A 543W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT,溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):134A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):150A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.1V @ 15V,50A 功率 - 最大值:543W 開關能量:4495μJ(關) 輸入類型:標準 柵極電荷:315nC 25°C 時 Td(開/關)值:28ns/320ns 測試條件:800V,50A,2.2 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):- 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:* 標準包裝:1 APT50GN120B2G 功能描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 134A 543W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT,溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):134A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):150A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.1V @ 15V,50A 功率 - 最大值:543W 開關能量:4495μJ(關) 輸入類型:標準 柵極電荷:315nC 25°C 時 Td(開/關)值:28ns/320ns 測試條件:800V,50A,2.2 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 變式 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:* 標準包裝:1 APT50GLQ65JU2 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:升壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):80A 功率 - 最大值:220W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.3V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):3.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT50GF60JU3 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 75A 277W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):75A 功率 - 最大值:277W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.7V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):40μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):2.25nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT50GS60BRDQ2G APT50GS60BRG APT50GT120B2RDLG APT50GT120B2RDQ2G APT50GT120B2RG APT50GT120JRDQ2 APT50GT120JU2 APT50GT120JU3 APT50GT120LRDQ2G APT50GT60BRDQ2G APT50GT60BRG APT50M38JLL APT50M50JLL APT50M65B2FLLG APT50M65B2LLG APT50M65JFLL APT50M65JLL APT50M65LFLLG
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