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APT7846ODAA1

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    APT7846ODAA1

    APT7846ODAA1

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

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  • 深圳市奧偉斯科技有限公司
    深圳市奧偉斯科技有限公司

    聯系人:江小姐 ADS觸摸芯片一級代理

    電話:0755-83254770

    地址:深南中路3006號佳和華強大廈A座7樓整層

    資質:營業執照

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  • 專業存儲IC,長期供應

  • APT7846ODAA1
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

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  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

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  • 北京元坤偉業科技有限公司
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    聯系人:劉先生

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APT7846ODAA1 技術參數
  • APT77N60SC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:超級結 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):77A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):41 毫歐 @ 44.4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 2.96mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):260nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13600pF @ 25V 功率 - 最大值:481W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D3Pak 標準包裝:1 APT77N60JC3 功能描述:MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):77A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):35 毫歐 @ 60A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5.4mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):640nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13600pF @ 25V 功率 - 最大值:568W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT77N60BC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 77A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:超級結 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):77A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):41 毫歐 @ 44.4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 2.96mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):260nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13600pF @ 25V 功率 - 最大值:481W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT75M50L 功能描述:MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):75 毫歐 @ 37A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):290nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):11600pF @ 25V 功率 - 最大值:1040W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:1 APT75M50B2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):75 毫歐 @ 37A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):290nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):11600pF @ 25V 功率 - 最大值:1040W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應商器件封裝:T-MAX? 標準包裝:1 APT8020LFLLG APT8024B2LLG APT8024JLL APT8024LFLLG APT8024LLLG APT8075BN APT80F60J APT80GA60B APT80GA60LD40 APT80GA90B APT80GA90LD40 APT80GP60J APT80M60J APT80SM120B APT80SM120J APT80SM120S APT84F50B2 APT84F50L
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