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參數資料
型號: AO3415
廠商: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 4000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: GREEN PACKAGE-3
文件頁數: 1/5頁
文件大小: 445K
代理商: AO3415
AO3415
General Description
Product Summary
Parameter
-20V
ID (at VGS=-4.5V)
-4A
RDS(ON) (at VGS= -4.5V)
< 43m
RDS(ON) (at VGS= -2.5V)
< 54m
RDS(ON) (at VGS= -1.8V)
< 73m
Symbol
VDS
ESD Protected
The AO3415 uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate
voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as
a load switch applications.
VDS
V
Maximum
Parameter
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
Drain-Source Voltage
-20
Units
20V P-Channel MOSFET
D
G
S
SOT23
Top View
Bottom View
S
G
D
VDS
VGS
IDM
TJ, TSTG
Symbol
t ≤ 10s
Steady-State
RθJL
V
°C
Thermal Characteristics
Units
°C/W
RθJA
65
85
80
Drain-Source Voltage
-20
A
ID
-4
Continuous Drain
Current
V
±8
Gate-Source Voltage
Maximum Junction-to-Ambient
A
TA=25°C
TA=70°C
Parameter
Typ
Pulsed Drain Current
C
Max
W
1.5
Maximum Junction-to-Lead
°C/W
-3.5
-30
100
Maximum Junction-to-Ambient
A D
43
Power Dissipation
B
PD
52
TA=25°C
1
TA=70°C
Junction and Storage Temperature Range
-55 to 150
D
G
S
SOT23
Top View
Bottom View
S
G
D
Rev 6: July 2010
www.aosmd.com
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PDF描述
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