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參數資料
型號: AO4407
廠商: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 12000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: GREEN, SOIC-8
文件頁數: 1/5頁
文件大小: 531K
代理商: AO4407
AO4407
30V P-Channel MOSFET
General Description
Product Summary
VDS
ID (at VGS=-20V)
-12A
RDS(ON) (at VGS=-20V)
< 13m
RDS(ON) (at VGS =-10V)
< 14m
RDS(ON) (at VGS =-5V)
< 30m
100% UIS Tested
100% Rg Tested
Symbol
VDS
The AO4407 combines advanced trench MOSFET
technology with a low resistance package to provide
extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch
and battery protection applications.
V
Maximum
Units
Parameter
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
-30V
Drain-Source Voltage
-30
SOIC-8
Top View
Bottom View
D
S
G
D
S
VDS
VGS
IDM
IAS, IAR
EAS, EAR
TJ, TSTG
Symbol
t ≤ 10s
Steady-State
RθJL
Maximum Junction-to-Lead
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A D
16
75
24
TA=25°C
TA=70°C
Power Dissipation
B
PD
Avalanche energy L=0.3mH
C
Pulsed Drain Current
C
Continuous Drain
Current
TA=25°C
mJ
Avalanche Current
C
101
A
26
A
ID
-12
-10
-60
V
±25
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
-30
Units
Parameter
Typ
Max
°C/W
RθJA
31
59
40
Maximum Junction-to-Ambient
A
2
TA=70°C
Junction and Storage Temperature Range
-55 to 150
°C
Thermal Characteristics
W
3.1
SOIC-8
Top View
Bottom View
D
S
G
D
S
Rev 13: July 2010
www.aosmd.com
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PDF描述
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