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參數(shù)資料
| 型號： | AO4449 |
| 廠商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 7000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | GREEN, SOIC-8 |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 555K |
| 代理商： | AO4449 |
AO4449
30V P-Channel MOSFET
General Description
Product Summary
VDS
ID (at VGS=-10V)
-7A
RDS(ON) (at VGS=-10V)
< 34m
RDS(ON) (at VGS = -4.5V)
< 54m
100% UIS Tested
100% Rg Tested
Symbol
The AO4449 uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge. This
device is suitable for use as a load switch or in PWM
applications.
Maximum
Units
Parameter
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
-30V
G
D
S
SOIC-8
Top View
Bottom View
D
S
G
Symbol
VDS
VGS
IDM
IAS, IAR
EAS, EAR
TJ, TSTG
Symbol
t ≤ 10s
Steady-State
RθJL
2
TA=70°C
Junction and Storage Temperature Range
-55 to 150
°C
Thermal Characteristics
W
3.1
Units
Parameter
Typ
Max
°C/W
RθJA
31
59
40
Maximum Junction-to-Ambient
A
V
±20
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
-30
V
Maximum
Units
Parameter
mJ
Avalanche Current
C
26
A
23
A
ID
-7
-5.5
-40
TA=25°C
TA=70°C
Power Dissipation
B
PD
Avalanche energy L=0.1mH
C
Pulsed Drain Current
C
Continuous Drain
Current
TA=25°C
Maximum Junction-to-Lead
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A D
16
75
24
G
D
S
SOIC-8
Top View
Bottom View
D
S
G
Rev 2: July 2010
www.aosmd.com
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4454 | 6500 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| AO4456 | 20000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| AO4466 | 30 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AO4620 | 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| AO4710 | 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AO4449_11 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET |
| AO4449L | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:910pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| AO4450 | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 7A 8SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AO4450_101 | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 7A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:516pF @ 20V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| AO4450_11 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:40V N-Channel MOSFET |
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