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參數(shù)資料
型號: APT40N60JCU3
元件分類: JFETs
英文描述: 40 A, 600 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: ISOTOP-4
文件頁數(shù): 2/8頁
文件大小: 485K
代理商: APT40N60JCU3
APT40N60JCU3
A
PT
40N
60J
C
U
3–
R
ev
0
A
pr
il,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
2- 8
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
BVDSS
Drain - Source Breakdown Voltage
VGS = 0V, ID = 250A
600
V
VGS = 0V,VDS = 600V
Tj = 25°C
25
IDSS
Zero Gate Voltage Drain Current
VGS = 0V,VDS = 600V
Tj = 125°C
250
A
RDS(on)
Drain – Source on Resistance
VGS = 10V, ID = 20A
70
m
W
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
VGS = VDS, ID = 1mA
2.1
3
3.9
V
IGSS
Gate – Source Leakage Current
VGS = ±20 V, VDS = 0V
±100
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Ciss
Input Capacitance
7015
Coss
Output Capacitance
2565
Crss
Reverse Transfer Capacitance
VGS = 0V
VDS = 25V
f = 1MHz
212
pF
Qg
Total gate Charge
259
Qgs
Gate – Source Charge
29
Qgd
Gate – Drain Charge
VGS = 10V
VBus = 300V
ID = 40A
111
nC
Td(on)
Turn-on Delay Time
20
Tr
Rise Time
30
Td(off)
Turn-off Delay Time
115
Tf
Fall Time
Resistive Switching
VGS = 15V
VBus = 380V
ID = 40A
RG = 1.8
W
10
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
u
670
Eoff
Turn-off Switching Energy
v
Inductive switching @ 25°C
VGS = 15V, VBus = 400V
ID = 40A, RG = 5
980
J
Eon
Turn-on Switching Energy
u
1100
Eoff
Turn-off Switching Energy
v
Inductive switching @ 125°C
VGS = 15V, VBus = 400V
ID = 40A, RG = 5
1206
J
u Eon includes diode reverse recovery
v In accordance with JEDEC standard JESD24-1.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT45GP120J 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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