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參數資料
| 型號： | APT40N60JCU3 |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 40 A, 600 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | ISOTOP-4 |
| 文件頁數： | 8/8頁 |
| 文件大小： | 485K |
| 代理商： | APT40N60JCU3 |
APT40N60JCU3
A
PT
40N
60J
C
U
3–
R
ev
0
A
pr
il,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
8- 8
SOT-227 (ISOTOP) Package Outline
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
Hex Nut M4
(4 places)
0.75 (.030)
0.85 (.033)
12.6 (.496)
12.8 (.504)
25.2 (0.992)
25.4 (1.000)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
*
r = 4.0 (.157)
(2 places)
4.0 (.157)
4.2 (.165)
(2 places)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
(4 places)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
Emitter terminals are shorted
internally. Current handling
capability is equal for either
Emitter terminal.
ISOTOP is a Registered Trademark of SGS Thomson
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
Source
Gate
Drain
Anode
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| APT5010LVR | 47 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| APT40SM120J | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 32A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:32A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA（標準） 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:130nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2560pF @ 1000V 功率 - 最大值:165W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 |
| APT40SM120S | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 41A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:41A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA（標準） 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:130nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2560pF @ 1000V 功率 - 最大值:273W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA 供應商器件封裝:D3Pak 標準包裝:1 |
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