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參數資料
| 型號： | APT40N60JCU3 |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 40 A, 600 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | ISOTOP-4 |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 485K |
| 代理商： | APT40N60JCU3 |
APT40N60JCU3
A
PT
40N
60J
C
U
3–
R
ev
0
A
pr
il,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
3- 8
Diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
IF = 30A
1.6
1.8
IF = 60A
1.9
VF
Diode Forward Voltage
IF = 30A
Tj = 125°C
1.4
V
VR = 600V
Tj = 25°C
250
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR = 600V
Tj = 125°C
500
A
CT
Junction Capacitance
VR = 200V
44
pF
Reverse Recovery Time
IF=1A,VR=30V
di/dt =100A/s
Tj = 25°C
23
Tj = 25°C
85
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
160
ns
Tj = 25°C
4
IRRM
Maximum Reverse Recovery Current
Tj = 125°C
8
A
Tj = 25°C
130
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 30A
VR = 400V
di/dt =200A/s
Tj = 125°C
700
nC
trr
Reverse Recovery Time
70
ns
Qrr
Reverse Recovery Charge
1300
nC
IRRM
Maximum Reverse Recovery Current
IF = 30A
VR = 400V
di/dt =1000A/s
Tj = 125°C
30
A
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
CoolMos
0.43
RthJC
Junction to Case
Diode
1.21
RthJA
Junction to Ambient (IGBT & Diode)
20
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ,TSTG Storage Temperature Range
-55
150
TL
Max Lead Temp for Soldering:0.063” from case for 10 sec
300
°C
Torque Mounting torque (Mounting = 8-32 or 4mm Machine and terminals = 4mm Machine)
1.5
N.m
Wt
Package Weight
29.2
g
Typical CoolMOS Performance Curve
Maxim um Effective Transient Therm al Im pedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.5
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
al
Im
p
eda
n
ce
(°
C
/W
)
Fig 1, Maximum Effective transient thermal Impedance, Junction to case vs Pulse Duration
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT45GP120J | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT45GP120J | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT5010LVR | 47 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| APT5010LVR | 47 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| APT5010LVRG | 47 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT40N60LCF | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Super Junction FREDFET |
| APT40N60LCFG | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Super Junction FREDFET |
| APT40SM120B | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 41A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:41A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA（標準） 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:130nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2560pF @ 1000V 功率 - 最大值:273W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:1 |
| APT40SM120J | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 32A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:32A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA（標準） 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:130nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2560pF @ 1000V 功率 - 最大值:165W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 |
| APT40SM120S | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 41A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:41A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA（標準） 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:130nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2560pF @ 1000V 功率 - 最大值:273W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA 供應商器件封裝:D3Pak 標準包裝:1 |
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