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參數資料
| 型號： | APTGT75TA60P |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 70 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-21 |
| 文件頁數： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 282K |
| 代理商： | APTGT75TA60P |
APTGT75TA60P
A
P
T
G
T
75
T
A
60P
–
R
ev
0,
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 600V
250
A
Tj = 25°C
1.5
1.9
VCE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
VGE =15V
IC = 75A
Tj = 150°C
1.7
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 600A
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
600
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
4620
Coes
Output Capacitance
300
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
140
pF
Td(on)
Turn-on Delay Time
110
Tr
Rise Time
45
Td(off)
Turn-off Delay Time
200
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 75A
RG = 12
40
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
120
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
250
Tf
Fall Time
60
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
1.3
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive Switching (150°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 75A
RG = 12
2.6
mJ
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
600
V
Tj = 25°C
250
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=600V
Tj = 150°C
500
A
IF(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
Tc = 80°C
75
A
Tj = 25°C
1.6
2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 75A
VGE = 0V
Tj = 150°C
1.5
V
Tj = 25°C
125
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 150°C
220
ns
Tj = 25°C
3.6
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 75A
VR = 300V
di/dt =2000A/s
Tj = 150°C
7.6
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGU70DU60T | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTM100DUM90 | 78 A, 1000 V, 0.09 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTM100DUM90 | 78 A, 1000 V, 0.09 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTM100H45ST | 18 A, 1000 V, 0.45 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTM100H45ST | 18 A, 1000 V, 0.45 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APTGT75TA60PG | 功能描述:IGBT MOD TRENCH 3PHASE LEG SP6-P RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGT75TDU120P | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Triple Dual Common Source Trench IGBT Power Module |
| APTGT75TDU120PG | 功能描述:IGBT MOD TRPL DUAL SOURCE SP6-P RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGT75TDU60P | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT75TDU60PG | 功能描述:IGBT MOD TRPL DUAL SOURCE SP6-P RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
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