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參數資料
| 型號： | APTGT75TA60P |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 70 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-21 |
| 文件頁數： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 282K |
| 代理商： | APTGT75TA60P |
APTGT75TA60P
A
P
T
G
T
75
T
A
60P
–
R
ev
0,
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 5
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.60
RthJC
Junction to Case
Diode
0.98
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
175
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
100
°C
Torque Mounting torque
To heatsink
M6
3
5
N.m
Wt
Package Weight
250
g
Package outline (dimensions in mm)
5 places (3:1)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGU70DU60T | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTM100DUM90 | 78 A, 1000 V, 0.09 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTM100DUM90 | 78 A, 1000 V, 0.09 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTM100H45ST | 18 A, 1000 V, 0.45 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTM100H45ST | 18 A, 1000 V, 0.45 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APTGT75TA60PG | 功能描述:IGBT MOD TRENCH 3PHASE LEG SP6-P RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGT75TDU120P | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Triple Dual Common Source Trench IGBT Power Module |
| APTGT75TDU120PG | 功能描述:IGBT MOD TRPL DUAL SOURCE SP6-P RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGT75TDU60P | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT75TDU60PG | 功能描述:IGBT MOD TRPL DUAL SOURCE SP6-P RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
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