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參數資料
| 型號： | ATF-58143-BLK |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| 封裝： | PLASTIC, SC-70, 4 PIN |
| 文件頁數： | 10/10頁 |
| 文件大小： | 179K |
| 代理商： | ATF-58143-BLK |
Recommended PCB Pad Layout for Agilent's SC70 4L/SOT-343 Products
(Dimensions in inches/mm)
Device Orientation
USER
FEED
DIRECTION
COVER TAPE
CARRIER
TAPE
REEL
END VIEW
8 mm
4 mm
TOP VIEW
71
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATP202 | 50 A, 30 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| ATP202 | 50 A, 30 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| ATP207 | 65 A, 40 V, 0.0091 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| ATP207 | 65 A, 40 V, 0.0091 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| CBJR12-1 | BOARD TERMINATED, RF CONNECTOR, SOLDER, JACK |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| ATF-58143-BLKG | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs Single Voltage RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數: 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體: |
| ATF-58143-BLKG | 制造商:Avago Technologies 功能描述:RF Bipolar Transistor |
| ATF-58143-TR1 | 制造商:AGILENT 制造商全稱:AGILENT 功能描述:Low Noise Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT in a Surface Mount Plastic Package |
| ATF-58143-TR1G | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs Single Voltage RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數: 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體: |
| ATF-58143-TR2 | 制造商:AGILENT 制造商全稱:AGILENT 功能描述:Low Noise Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT in a Surface Mount Plastic Package |
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