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BSC072N03LD/G/SSF3606

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BSC072N03LD/G/SSF3606 技術參數

BSC072N03LD G 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:11.5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.2 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:41nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3500pF @ 15V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8（5.15x6.15）標準包裝:1 BSC072N025S G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 40A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.2 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2230pF @ 15V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:5,000 BSC070N10NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 80A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:38nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2700pF @ 50V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC070N10NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:90A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 75μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4000pF @ 50V 功率 - 最大值:114W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC0702LSATMA1 BSC080P03LS G BSC080P03LSGAUMA1 BSC082N10LSGATMA1 BSC084P03NS3 G BSC084P03NS3EGATMA1 BSC084P03NS3GATMA1 BSC085N025S G BSC0901NS BSC0901NSATMA1 BSC0901NSI BSC0901NSIATMA1 BSC0902NS BSC0902NSATMA1 BSC0902NSI BSC0902NSIATMA1 BSC0904NSI BSC0904NSIATMA1 BSC0906NSATMA1