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BSC077N12NS3GXT

配單專家企業(yè)名單

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封裝
批號
價格
說明
操作

BSC077N12NS3GXT
深圳市歐和寧電子有限公司
深圳市歐和寧電子有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-292759351581559886118576729816
地址：廣東省深圳市福田區(qū) 華強北賽格科技園6C18室
69800
INFINEON
近兩年生產(chǎn)
DFN-8
-
每一片都來自原廠

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BSC077N12NS3GXT PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSC077N12NS3GXT 技術參數(shù)

BSC077N12NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:120V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:13.4A（Ta），98A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.7 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 110μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:88nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5700pF @ 60V 功率 - 最大值:139W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC076N06NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:50A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.6 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 35μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4000pF @ 30V 功率 - 最大值:69W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC072N08NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:74A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.2 毫歐 @ 37A， 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 36μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2100pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC072N03LDGATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11.5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.2 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:41nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3500pF @ 15V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 基本零件編號:BSC072N03 標準包裝:1 BSC072N03LD G 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11.5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.2 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:41nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3500pF @ 15V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8（5.15x6.15）標準包裝:1 BSC084P03NS3EGATMA1 BSC084P03NS3GATMA1 BSC085N025S G BSC0901NS BSC0901NSATMA1 BSC0901NSI BSC0901NSIATMA1 BSC0902NS BSC0902NSATMA1 BSC0902NSI BSC0902NSIATMA1 BSC0904NSI BSC0904NSIATMA1 BSC0906NSATMA1 BSC0908NSATMA1 BSC0909NSATMA1 BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03MSGATMA1