欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好,歡迎來到買賣IC網 登錄 | 免費注冊
您現在的位置:買賣IC網 > B字母型號搜索 >

BSC123N10LSGXT

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作

沒找到與 " BSC123N10LSGXT " 相關的供應商

您可以:

1. 縮短或修改您的搜索詞,重新搜索

2. 發布緊急采購,3分鐘左右您將得到回復 發布緊急采購

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
BSC123N10LSGXT PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
BSC123N10LSGXT 技術參數
  • BSC123N10LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10.6A(Ta),71A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12.3 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 72μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):68nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4900pF @ 50V 功率 - 最大值:114W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC123N08NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):11A(Ta),55A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12.3 毫歐 @ 33A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 33μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1870pF @ 40V 功率 - 最大值:66W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC120N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):11A(Ta),39A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1500pF @ 15V 功率 - 最大值:28W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC120N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):12A(Ta),39A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1200pF @ 15V 功率 - 最大值:28W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC119N03S G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):11.9A(Ta),30A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11.9 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1370pF @ 15V 功率 - 最大值:43W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC159N10LSFGATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 BSC16DN25NS3 G BSC16DN25NS3GATMA1 BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 BSC196N10NSGATMA1 BSC200P03LSGAUMA1 BSC205N10LS G BSC22DN20NS3 G BSC22DN20NS3GATMA1 BSC240N12NS3 G BSC252N10NSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 BSC320N20NS3 G BSC320N20NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1
配單專家

在采購BSC123N10LSGXT進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規避購買BSC123N10LSGXT產品風險,建議您在購買BSC123N10LSGXT相關產品前務必確認供應商資質及產品質量。

免責聲明:以上所展示的BSC123N10LSGXT信息由會員自行提供,BSC123N10LSGXT內容的真實性、準確性和合法性由發布會員負責。買賣IC網不承擔任何責任。

買賣IC網 (www.cjreal.com) 版權所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術有限公司 | 粵公網安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號
主站蜘蛛池模板: 赣榆县| 苍溪县| 蒲城县| 德化县| 横峰县| 舟曲县| 普兰县| 郁南县| 双峰县| 玛纳斯县| 武胜县| 余江县| 什邡市| 小金县| 闵行区| 元江| 南漳县| 大关县| 平远县| 昌邑市| 百色市| 阿合奇县| 定边县| 边坝县| 临江市| 苏尼特左旗| 竹山县| 衡山县| 孝感市| 石屏县| 洪洞县| 阿城市| 城口县| 岐山县| 孟连| 甘肃省| 罗城| 嵩明县| 施甸县| 上思县| 凌源市|