欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

<tfoot id="migci"></tfoot>

<fieldset id="migci"></fieldset>

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > B字母型號搜索 >

BSC159N10LSFGXT

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

1/1頁 40條/頁共1條
1

您是不是要找： BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 BSC16DN25NS3 G BSC16DN25NS3GATMA1 BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 BSC196N10NSGATMA1 BSC200P03LSGAUMA1 BSC205N10LS G

BSC159N10LSFGXT PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSC159N10LSFGXT PDF下載

制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8

BSC159N10LSFGXT 技術參數

BSC159N10LSFGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:Not For New Designs FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:9.4A（Ta），63A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15.9 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 72μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2500pF @ 50V 功率 - 最大值:114W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:5,000 BSC159N10LSF G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:9.4A（Ta），63A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15.9 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 72μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2500pF @ 50V 功率 - 最大值:114W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC152N10NSFGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:9.4A（Ta），63A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15.2 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 72μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 50V 功率 - 最大值:114W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:5,000 BSC150N03LDGATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:13.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1100pF @ 15V 功率 - 最大值:26W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 基本零件編號:BSC150N03 標準包裝:1 BSC150N03LD G 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1100pF @ 15V 功率 - 最大值:26W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8（5.15x6.15）標準包裝:1 BSC22DN20NS3 G BSC22DN20NS3GATMA1 BSC240N12NS3 G BSC252N10NSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 BSC320N20NS3 G BSC320N20NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 BSC350N20NSFDATMA1 BSC360N15NS3GATMA1 BSC440N10NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 BSC520N15NS3GATMA1 BSC600N25NS3 G BSC600N25NS3GATMA1 BSC670N25NSFDATMA1 BSC750N10ND G BSC750N10NDGATMA1