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BSC23-2617S

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    BSC23-2617S

    BSC23-2617S

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人：何芝

    電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099

    地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業執照

  • 5000

  • BAILI

  • 標準封裝

  • 13+

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  • 全新原裝，現貨，價優！

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BSC23-2617S 技術參數
  • BSC22DN20NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 13μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:5.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:430pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:34W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:225 毫歐 @ 3.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC22DN20NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:225 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 13μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:430pF @ 100V 功率 - 最大值:34W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC205N10LS G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7.4A（Ta），45A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20.5 毫歐 @ 45A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 43μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:41nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2900pF @ 50V 功率 - 最大值:76W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC200P03LSGAUMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:9.9A（Ta），12.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 12.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:48.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2430pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC196N10NSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8.5A（Ta），45A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19.6 毫歐 @ 45A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 42μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2300pF @ 50V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC500N20NS3GATMA1 BSC520N15NS3GATMA1 BSC600N25NS3 G BSC600N25NS3GATMA1 BSC670N25NSFDATMA1 BSC750N10ND G BSC750N10NDGATMA1 BSC882N03LSGATMA1 BSC882N03MSGATMA1 BSC883N03LSGATMA1 BSC883N03MSGATMA1 BSC884N03MS G BSC886N03LSGATMA1 BSC889N03LSGATMA1 BSC889N03MSGATMA1 BSC900N20NS3 G BSC900N20NS3GATMA1 BSC9131NJE7HHHB
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