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BSZ023N04LSATMA1

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批號
價格
說明
操作

BSZ023N04LSATMA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

BSZ023N04LSATMA1
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：駱小姐
電話：18124020586
地址：深圳市龍崗區雅寶路1號星河world， A棟2203A
80020
Infineon Technologies
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

BSZ023N04LSATMA1
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
9800
Infineon Technologies
PG-TDSON-8
19+
-
代理直銷！進口原裝正品！

BSZ023N04LSATMA1
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
INFINEON
1521+
-
全新原裝現貨

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1

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BSZ023N04LSATMA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSZ023N04LSATMA1 PDF下載

功能描述
MOSFET MV POWER MOS
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BSZ023N04LSATMA1 技術參數

BSZ019N03LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:22A（Ta）. 40A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:44nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2800pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），69W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.9 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSZ019N03LS 功能描述:MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:22A（Ta）. 40A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.9 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:44nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2800pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3）標準包裝:1 BSZ018NE2LSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:22A（Ta），40A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:36nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2500pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），69W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSZ018NE2LSI 功能描述:MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:22A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:36nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2500pF @ 12V 功率 - 最大值:69W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3）標準包裝:1 BSZ018NE2LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:23A（Ta），40A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:39nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2800pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），69W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSZ036NE2LSATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N06LS5ATMA1 BSZ042N04NS G BSZ042N04NSGATMA1 BSZ042N06NS BSZ042N06NSATMA1 BSZ0500NSIATMA1 BSZ0501NSIATMA1 BSZ0502NSIATMA1 BSZ0503NSIATMA1 BSZ0506NSATMA1 BSZ050N03LSGATMA1 BSZ050N03MSGATMA1 BSZ0589NSATMA1 BSZ058N03LS G BSZ058N03LSGATMA1 BSZ058N03MSGATMA1