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BSZ031NE2LS5ATMA1

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BSZ031NE2LS5ATMA1
    BSZ031NE2LS5ATMA1

    BSZ031NE2LS5ATMA1

  • 廣東濟德精密電子有限公司
    廣東濟德精密電子有限公司

    聯(lián)系人：吳

    電話：18724450645

    地址：東莞市大朗鎮(zhèn)松木山村德利路1號2棟2樓

  • 150

  • INFINEON

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  • 25+

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  • BSZ031NE2LS5ATMA1
    BSZ031NE2LS5ATMA1

    BSZ031NE2LS5ATMA1

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：王

    電話：18724450645

    地址：中國上海

  • 328689

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -

  • 優(yōu)勢庫存，原裝正品

  • BSZ031NE2LS5ATMA1
    BSZ031NE2LS5ATMA1

    BSZ031NE2LS5ATMA1

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13969210552

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3031號漢國中心3204室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

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  • BSZ031NE2LS5ATMA1
    BSZ031NE2LS5ATMA1

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

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    地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

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BSZ031NE2LS5ATMA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 25V 19A 8SON
  • 制造商
  • infineon technologies
  • 系列
  • OptiMOS??
  • 包裝
  • 帶卷（TR）
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • 19A（Ta），40A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 3.1 毫歐 @ 20A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
  • 18.3nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
  • 1230pF @ 12V
  • 功率 - 最大值
  • 2.1W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerTDFN
  • 供應商器件封裝
  • PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3）
  • 標準包裝
  • 5,000
BSZ031NE2LS5ATMA1 技術參數
  • BSZ028N04LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 21A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:21A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.8 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:32nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2300pF @ 20V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3） 標準包裝:5,000 BSZ025N04LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:22A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:52nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3680pF @ 20V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3） 標準包裝:1 BSZ023N04LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:22A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.35 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:37nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2630pF @ 20V 功率 - 最大值:69W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSZ019N03LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:22A（Ta）. 40A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:44nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2800pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），69W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.9 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSZ019N03LS 功能描述:MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:22A（Ta）. 40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.9 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:44nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2800pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3） 標準包裝:1 BSZ042N04NS G BSZ042N04NSGATMA1 BSZ042N06NS BSZ042N06NSATMA1 BSZ0500NSIATMA1 BSZ0501NSIATMA1 BSZ0502NSIATMA1 BSZ0503NSIATMA1 BSZ0506NSATMA1 BSZ050N03LSGATMA1 BSZ050N03MSGATMA1 BSZ0589NSATMA1 BSZ058N03LS G BSZ058N03LSGATMA1 BSZ058N03MSGATMA1 BSZ060NE2LS BSZ060NE2LSATMA1 BSZ065N03LS
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