欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

<li id="cwyuo"></li>

您好，歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

管理采購發(fā)布采購信息

您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > B字母型號搜索 >

BSZ115N03LSCGATMA1

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

沒找到與 " BSZ115N03LSCGATMA1 " 相關(guān)的供應(yīng)商

您可以：

1. 縮短或修改您的搜索詞，重新搜索

2. 發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù) 發(fā)布緊急采購

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： BSZ120P03NS3EGATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ123N08NS3 G BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ130N03LS G BSZ130N03LSGATMA1 BSZ130N03MS G BSZ130N03MSGATMA1

BSZ115N03LSCGATMA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)

BSZ115N03LSCGATMA1 PDF下載

制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel

BSZ115N03LSCGATMA1 技術(shù)參數(shù)

BSZ110N08NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:40A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 22μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ110N06NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 23μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:33nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2700pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），50W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerVDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ110N06NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 23μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2700pF @ 30V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ105N04NSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11A（Ta），40A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 14μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:17nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1300pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），35W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.5 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ105N04NS G 功能描述:MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 14μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 20V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ146N10LS5ATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ165N04NS G BSZ165N04NSGATMA1 BSZ16DN25NS3 G BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ180P03NS3GATMA1 BSZ215CHXTMA1 BSZ22DN20NS3 G BSZ22DN20NS3GATMA1 BSZ240N12NS3 G BSZ240N12NS3GATMA1 BSZ300N15NS5ATMA1 BSZ340N08NS3 G BSZ340N08NS3GATMA1