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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BC850C |
| 廠商： | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| 中文描述： | 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 46K |
| 代理商： | BC850C |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1998 Aug 06
1999 Apr 08
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BC849; BC850
NPN general purpose transistors
book, halfpage
M3D088
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC850 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) |
| BC850BLT1 | General Purpose Transistors(NPN Silicon) |
| BC850CLT1 | High Speed CMOS Logic Triple 3-Input NOR Gates 14-SOIC -55 to 125 |
| BC857A.B | CMOS Image Sensor |
| BC857BTT1 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC850C /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS LOW NOISE TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC850C _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| BC850C T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin TO-236AB T/R |
| BC850C,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN GP 45V 100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC850C,235 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS LOW NOISE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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