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參數資料
| 型號： | BC857ALT1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | High Speed CMOS Logic Hex Buffer/Line Driver with Non-Inverting 3-State Outputs 16-SOIC -55 to 125 |
| 中文描述： | 高速CMOS邏輯同相3態輸出六角緩沖/線驅動器 SOIC-16封裝 工作溫度：-55℃_125℃ |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 25K |
| 代理商： | BC857ALT1 |
(SPEC-A32)
607
Transistors
BC857B
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC857AWT1 | General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
| BC857BWT1 | General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
| BC857T | PNP general purpose transistor(PNP通用型晶體管) |
| BC856T | PNP general purpose transistors |
| BC858AF | PNP general purpose transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC857ALT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857AM | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP general purpose transistors |
| BC857AM T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857AM,315 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857AMB | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP45V 0.1A SOT88 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP,45V 0.1A, SOT883B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP,45V 0.1A, SOT883B; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:125; Operating Temperature Min:-55C; Operating ;RoHS Compliant: Yes |
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