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參數資料
型號: BC857C
廠商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR
中文描述: 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數: 1/1頁
文件大小: 25K
代理商: BC857C
(SPEC-A32)
607
Transistors
BC857B
相關PDF資料
PDF描述
BC857 SOT23 NPN SILICON PLANAR
BC857BRLT1 General Purpose Transistors(PNP Silicon)
BC857BLT1 High Speed CMOS Logic Octal Positive-Edge Triggered D-Type Flip-Flops with 3-State Outputs 20-SOIC -55 to 125
BC857ALT1 High Speed CMOS Logic Hex Buffer/Line Driver with Non-Inverting 3-State Outputs 16-SOIC -55 to 125
BC857AWT1 General Purpose Transistors(PNP Silicon)
相關代理商/技術參數
參數描述
BC857C /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC857C _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
BC857C RFG 功能描述:TRANSISTOR, PNP, -45V, -0.1A, 42 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000
BC857C TR 功能描述:TRANS PNP 80V SOT23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):50mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:1
BC857C,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP GP 45V 100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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