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參數資料
| 型號： | BC857BLT1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | High Speed CMOS Logic Octal Positive-Edge Triggered D-Type Flip-Flops with 3-State Outputs 20-SOIC -55 to 125 |
| 中文描述： | 通用晶體管（民進黨硅） |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 25K |
| 代理商： | BC857BLT1 |
(SPEC-A32)
607
Transistors
BC857B
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC857ALT1 | High Speed CMOS Logic Hex Buffer/Line Driver with Non-Inverting 3-State Outputs 16-SOIC -55 to 125 |
| BC857AWT1 | General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
| BC857BWT1 | General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
| BC857T | PNP general purpose transistor(PNP通用型晶體管) |
| BC856T | PNP general purpose transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC857BLT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857BLT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| BC857BLT3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857BLT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857BLT3G ONS | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
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