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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BF569 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Silicon PNP Planar RF Transistor |
| 中文描述： | 進(jìn)步黨射頻硅平面晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | BF569 |
BF569/BF569R
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Rev. 3, 20-Jan-99
1 (5)
Document Number 85000
Silicon PNP Planar RF Transistor
Electrostatic sensitive device.
Observe precautions for handling.
Applications
For selfoscillating RF mixer stages.
Features
High gain
Low noise
13 581
2
3
1
94 9280
BF569 Marking: LH
Plastic case (SOT 23)
1 = Collector, 2 = Base, 3 = Emitter
13 581
2
3
1
9510527
BF569R Marking: LM
Plastic case (SOT 23)
1 = Collector, 2 = Base, 3 = Emitter
Absolute Maximum Ratings
T
amb
= 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
Symbol
–V
CBO
–V
CEO
–V
EBO
–I
C
P
tot
T
j
T
stg
Value
40
35
3
30
200
150
Unit
V
V
V
mA
mW
C
C
T
amb
≤
60 C
–65 to +150
Maximum Thermal Resistance
T
amb
= 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Junction ambient
on glass fibre printed board (25 x 20 x 1.5) mm
3
plated with 35 m Cu
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
450
Unit
K/W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF579 | Silicon PNP Planar RF Transistor |
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參數(shù)描述 |
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