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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BFQ67R |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Silicon NPN Planar RF Transistor |
| 中文描述： | 硅NPN平面射頻晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/12頁(yè) |
| 文件大小： | 185K |
| 代理商： | BFQ67R |
BFQ67/BFQ67R/BFQ67W
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Rev. 3, 20-Jan-99
1 (12)
Document Number 85022
Silicon NPN Planar RF Transistor
Electrostatic sensitive device.
Observe precautions for handling.
Applications
Low noise small signal amplifiers up to 2 GHz. This
transistor has superior noise figure and associated
gain performance at UHF, VHF and microwave fre-
quencies.
Features
Small feedback capacitance
Low noise figure
High transition frequency
13 581
2
3
1
94 9280
BFQ67 Marking: V2
Plastic case (SOT 23)
1 = Collector, 2 = Base, 3 = Emitter
13 581
2
3
1
9510527
BFQ67R Marking: R67
Plastic case (SOT 23)
1 = Collector, 2 = Base, 3 = Emitter
2
1
3
13 652
13 570
BFQ67W Marking: WV2
Plastic case (SOT 323)
1 = Collector, 2 = Base, 3 = Emitter
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFQ67W | Silicon NPN Planar RF Transistor |
| BFQ81 | Silicon NPN Planar RF Transistor |
| BFQ81 | Silicon NPN Planar RF Transistor(集電極電流30mA,射頻放大器應(yīng)用的NPN平面型晶體管) |
| BFR181T | Silicon NPN Planar RF Transistor(集電極電流20mA,低噪高增益放大器應(yīng)用的NPN平面型晶體管) |
| BFR181TW | Silicon NPN Planar RF Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFQ67T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:NPN 8 GHz wideband transistor |
| BFQ67T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23 |
| BFQ67W | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BFQ67W,115 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN 10V 50mA 8GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFQ67W,135 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Single NPN 10V 50mA 300mW 60 8GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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