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參數資料
| 型號： | BUJ100LR |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN power transistor |
| 中文描述： | 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-43A, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 147K |
| 代理商： | BUJ100LR |
1.
Product profile
1.1 General description
High voltage, high speed, planar passivated NPN power switching transistor in a SOT54
(TO-92) 3 leads plastic package.
1.2 Features and benefits
Fast switching
High voltage capability of 700 V
1.3 Applications
Compact fluorescent lamps (CFL)
Electronic lighting ballasts
Inverters
Off-line self-oscillating power supplies
1.4 Quick reference data
Table 1.
Symbol
I
C
P
tot
BUJ100LR
NPN power transistor
Rev. 02 — 29 July 2010
Product data sheet
Quick reference data
Parameter
collector current
total power
dissipation
collector-emitter peak
voltage
Static characteristics
h
FE
DC current gain
Conditions
DC; see
Figure 2
T
lead
≤
25 °C; see
Figure 1
Min
-
-
Typ
-
-
Max
1
2.1
Unit
A
W
V
CESM
V
BE
= 0 V
-
-
700
V
V
CE
= 5 V; I
C
= 0.8 A;
T
lead
= 25 °C; see
Figure 8
;
see
Figure 9
5
7.5
20
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUJ100 | NPN power transistor |
| BUJ103AD | NPN power transistor |
| BUJ103AX | NPN power transistor |
| BUJ103A | Silicon diffused power transistor |
| BUJ105AB | NPN power transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| BUJ100LR,412 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUJ100LR126 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:NPN POWER TRANSISTOR 400 V 1 A 3-TO-9 |
| BUJ101A | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
| BUJ101AU | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
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