- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄384160 > BULB49DT4 (意法半導體) HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR PDF資料下載
參數資料
| 型號： | BULB49DT4 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | 高壓快速開關NPN電源晶體管 |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 252K |
| 代理商： | BULB49DT4 |
1/7
September 2003
BULB49D
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING
NPN POWER TRANSISTOR
I
HIGH VOLTAGE CAPABILITY
I
LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS
I
MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR
RELIABLE OPERATION
I
VERY HIGH SWITCHING SPEED
I
HIGH RUGGEDNESS
I
SURFACE MOUNTING TO-263 (D
2
PAK)
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL
(SUFFIX “T4”)
APPLICATIONS:
I
ELECTRONIC TRANSFORMERS FOR
HALOGEN LAMPS
I
FLYBACK AND FORWARD SINGLE
TRANSISTOR LOW POWER CONVERTERS
DESCRIPTION
The device is manufactured using High Voltage
Multi Epitaxial Planar technology for high switching
speeds and high voltage capability.
The BULB49D is designed for use in electronic
transformers for halogen lamps.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CES
Collector-Emitter Voltage (V
BE
= 0)
V
CEO
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
V
EBO
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0, I
B
< 2 A, t
p
< 10 ms)
I
C
Collector Current
I
CM
Collector Peak Current (t
p
< 5 ms)
I
B
Base Current
I
BM
Base Peak Current (t
p
< 5 ms)
P
tot
Total Dissipation at T
c
= 25 °C
T
stg
Storage Temperature
T
j
Max. Operating Junction Temperature
Ordering Code
Marking
Package / Shipment
BULB49DT4
BULB49D
D
2
PAK / Tape & Reel
Parameter
Value
Unit
850
V
450
V
V
(BR)EBO
V
5
A
10
A
2
A
4
A
80
W
–65 to 150
°C
150
°C
TO-263
D
2
PAK
(Suffix ”T4”)
1
3
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BULD118-1 | High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor(高壓快速開關NPN功率晶體管) |
| BULD118D-1 | High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor(高壓快速開關NPN功率晶體管) |
| BULK118 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| BUR50S | High Current NPN Silicon Transistor(高電流NPN硅晶體管) |
| BUR51 | High Current NPN Silicon Transistor(高電流NPN硅晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BULB7216 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| BULB7216-1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT H/V FST SWCH PW TRNS NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BULB7216T4 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PWR BIP/S.SIGNAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BULB742C | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:High voltage fast-switching NPN power transistor |
| BULB742C-1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT H/V FST SWCH PW TRNS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。