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CSD19537Q3T

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CSD19537Q3T
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：王
電話：18724450645
地址：中國上海
320325
TI
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

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深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
TI
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

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北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業執照
320325
TI
con
24+
-

CSD19537Q3T
天陽誠業科貿有限公司
天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
320325
TI
con
24+
-

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深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室
320325
TI
con
24+
-
現貨常備京北通宇商城可查價格

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深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室
資質：營業執照
320325
TI
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

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深圳市榮澤信電子科技有限公司
深圳市榮澤信電子科技有限公司
聯系人：榮澤信－晏S
電話：18028731859
地址：華富村東區417室
5000
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(DQG) | 8
22+
-
全新原裝正品現貨

CSD19537Q3T
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3
資質：營業執照
0
Ti
(DQG)
21
-
瑞智芯只有原裝

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深圳市百潤電子有限公司
深圳市百潤電子有限公司
聯系人：梁
電話：17876146278
地址：沙頭街道下沙社區濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A
4000
N/A
NEW AND ORIGINAL
23+
-
全新原裝正品*海量現貨庫存*全網最低

CSD19537Q3T
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
Texas Instruments
標準封裝
15+
-
百分百原裝假一罰十

CSD19537Q3T
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

CSD19537Q3T
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3
29278
TI/德州儀器
N/A
21+
-
瑞智芯，只有原裝

CSD19537Q3T
深圳市科宏特電子有限公司
深圳市科宏特電子有限公司
聯系人：李瑞兵
電話：18897698645
地址：深圳市福田區深南中路華強電子世界三店佳和4C148
36000000
TI
22+
-
原裝正品

CSD19537Q3T
深圳市鵬威爾科技有限公司
深圳市鵬威爾科技有限公司
聯系人：胡慶偉
電話：13138879988
地址：深圳市寶安區新安街道翻身路117號富源商貿中心D棟601
250
TI
ORIGONAL
16+
-
0.67024 USD,szpoweri...

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功能描述
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
50A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
14.5 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3.6V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
21nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
1680pF @ 50V
功率 - 最大值
2.8W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerVDFN
供應商器件封裝
8-VSON（3.3x3.3）
標準包裝
1

CSD19537Q3T 技術參數

CSD19537Q3 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:新產品 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:50A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14.5 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1680pF @ 50V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）標準包裝:1 CSD19536KTTT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 200A TO263 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:153nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:12000pF @ 50V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-4，D2Pak（3 引線+接片），TO-263AA 供應商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 標準包裝:1 CSD19536KTT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 200A TO263 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:153nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:12000pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:375W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 100A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 封裝/外殼:TO-263-4，D2Pak（3 引線 + 接片），TO-263AA 標準包裝:1 CSD19536KCS 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-220 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:150A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.7 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:153nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:12000pF @ 50V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 CSD19535KTTT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 200A TO263 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:200A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.4 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:98nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7930pF @ 50V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-4，D2Pak（3 引線+接片），TO-263AA 供應商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 標準包裝:1 CSD20168 CSD20168SS CSD202010 CSD202012 CSD20206 CSD20208 CSD20208SS CSD20248 CSD22202W15 CSD22204W CSD22204WT CSD22205L CSD22205LT CSD22206W CSD22206WT CSD23201W10 CSD23202W10 CSD23202W10T