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CSD22206W

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  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CSD22206W
    CSD22206W

    CSD22206W

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 30000

  • TI

  • DSBGA-9

  • 22+

  • -
  • 每一片都來自原廠,正品保證

  • CSD22206W
    CSD22206W

    CSD22206W

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505(京北通宇)

    資質:營業執照

  • 321239

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • CSD22206W
    CSD22206W

    CSD22206W

  • 北京天陽誠業科貿有限公司
    北京天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪先生

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

  • 0

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • 集成電路(IC)

  • CSD22206W
    CSD22206W

    CSD22206W

  • 天陽誠業科貿有限公司
    天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

  • 321239

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • CSD22206W
    CSD22206W

    CSD22206W

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室

    資質:營業執照

  • 321239

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • 優勢庫存,原裝正品

  • CSD22206W
    CSD22206W

    CSD22206W

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 321239

  • TI

  • con

  • 24+

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  • 現貨常備京北通宇商城可查價格

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CSD22206W 技術參數
  • CSD22205LT 功能描述:MOSFET P-CH 8V 7.4A 4-PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):8V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):7.4A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.05V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):8.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):-6V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1390pF @ 4V FET 功能:- 功率耗散(最大值):600mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9.9 毫歐 @ 1A, 4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:4-PICOSTAR 封裝/外殼:4-XFLGA 標準包裝:1 CSD22204WT 功能描述:MOSFET P-CH 8V 9DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):8V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9.9m? @ 2A, 4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):24.6nC(4.5V) 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1130pF @ 4V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:9-UFBGA,DSBGA 供應商器件封裝:9-DSBGA 標準包裝:1 CSD22202W15 功能描述:MOSFET P-CH 8V 10A 9DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):8V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12.2 毫歐 @ 2A、 4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1390pF @ 4V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:9-UFBGA,DSBGA 供應商器件封裝:9-DSBGA 標準包裝:1 CSD20248 功能描述:BOX STEEL GRAY 20"L X 24.02"W 制造商:hoffman enclosures, inc. 系列:- 零件狀態:在售 容器類型:盒 大小/尺寸:20.000" 長 x 24.016" 寬(508.00mm x 610.00mm) 高度:7.992"(203.00mm) 面積(L x W):480 in2(3097 cm2) 設計:鉸鏈式門,蓋 材料:金屬 - 鋼 顏色:灰色 厚度:18 號 特性:密封墊,壁裝 等級:IP66,NEMA 4,12,13,UL-508A 材料可燃性等級:- 發貨信息:從 Digi-Key 運送 重量:31 磅(14.1kg) 標準包裝:1 CSD20208SS 功能描述:BOX S STEEL NAT 20"L X 20"W 制造商:hoffman enclosures, inc. 系列:- 零件狀態:在售 容器類型:盒 大小/尺寸:20.000" 長 x 20.000" 寬(508.00mm x 508.00mm) 高度:7.992"(203.00mm) 面積(L x W):400 in2(2581 cm2) 設計:鉸鏈式門,蓋 材料:金屬,不銹鋼 顏色:天然 厚度:16 號 特性:密封墊,不銹鋼鉸鏈,壁裝 等級:IP66,NEMA 3R,4,4X,12,13,UL-508A 材料可燃性等級:- 發貨信息:從 Digi-Key 運送 重量:30 磅(13.6kg) 標準包裝:1 CSD23285F5T CSD23381F4 CSD23381F4T CSD23382F4 CSD23382F4T CSD2410 CSD2410F CSD24168 CSD242010 CSD24208 CSD242410 CSD242410W CSD242412 CSD24246 CSD24248 CSD24248SS CSD2425 CSD2425-10
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