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CSD25404Q3

配單專家企業名單

型號
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封裝
批號
價格
說明
操作

CSD25404Q3
現貨
集好芯城
集好芯城
聯系人：陳先生 13360533550
電話：0755-83289799
地址：深圳市福田區深南中路漢國城市商業中心55層香港新界葵興葵康大廈6樓
資質：營業執照
31360
TI(德州儀器)
22+
-
原裝原廠現貨

CSD25404Q3
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業執照
321158
TI
con
24+
-

CSD25404Q3
天陽誠業科貿有限公司
天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
321158
TI
con
24+
-

CSD25404Q3
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室
321158
TI
con
24+
-
現貨常備京北通宇商城可查價格

CSD25404Q3
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室
資質：營業執照
321158
TI
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

CSD25404Q3
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：王
電話：18724450645
地址：中國上海
321158
TI
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

CSD25404Q3
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3
資質：營業執照
0
Ti
(DQG)
21
-
瑞智芯只有原裝

CSD25404Q3
深圳市德江源電子有限公司
深圳市德江源電子有限公司
聯系人：張先生
電話：8296641615986789713
地址：深圳市福田區華強北街道振華路100號深紡大廈C座1A層1A621室
資質：營業執照
10000
TI/德州儀器
VSON-CLIP-8
19+
-
只做原裝，假一賠十

CSD25404Q3T
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

CSD25404Q3
深圳市歐和寧電子有限公司
深圳市歐和寧電子有限公司
聯系人：李先生
電話：0755-292759351581559886118576729816
地址：廣東省深圳市福田區華強北賽格科技園6C18室
69800
TI
近兩年生產
8-TDFN
-
每一片都來自原廠

CSD25404Q3T
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3
29284
TI/德州儀器
N/A
21+
-
瑞智芯，只有原裝

CSD25404Q3
深圳市品業電子有限公司
深圳市品業電子有限公司
聯系人：李小姐
電話：0755-23895664
地址：華強街道振華路深紡大廈C座2樓2H55
8520
TI
SON3x3
18+
-
只做原裝正品現貨價格優勢

CSD25404Q3
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業執照
3513
TI
DQG8
2214+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現貨！

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功能描述
MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
在售
FET 類型
P 溝道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
104A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.15V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
14.1nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
2120pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.8W（Ta），96W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
6.5 毫歐 @ 10A，4.5V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應商器件封裝
8-VSON（3.3x3.3）
封裝/外殼
8-PowerVDFN
標準包裝
1

CSD25404Q3 技術參數

CSD25402Q3A 功能描述:MOSFET P-CH 20V 72A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:72A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.9 毫歐 @ 10A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1790pF @ 10V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）標準包裝:1 CSD25401Q3 功能描述:MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:14A（Ta），60A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11.7 毫歐 @ 10A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 10V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）標準包裝:1 CSD25310Q2 功能描述:MOSFET P-CH 20V 48A 6SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:23.9 毫歐 @ 5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:655pF @ 10V 功率 - 最大值:2.9W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:* 封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:6-WSON（2x2）標準包裝:1 CSD25304W1015T 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:32.5 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:595pF @ 10V 功率 - 最大值:750mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UFBGA，DSBGA 供應商器件封裝:6-DSBGA 標準包裝:1 CSD25304W1015 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:32.5 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:595pF @ 10V 功率 - 最大值:750mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UFBGA，DSBGA 供應商器件封裝:6-DSBGA 標準包裝:1 CSD25485F5 CSD25485F5T CSD25501F3 CSD25501F3T CSD2-6832FL/39-25-5B CSD2-7152FL/39-25-5B CSD30208 CSD302410 CSD302412 CSD30248 CSD30308 CSD3080H CSD3120H CSD3160H CSD33V CSD36 CSD36248 CSD363012