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CSD25404Q3

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CSD25404Q3
    CSD25404Q3

    CSD25404Q3

    現(xiàn)貨
  • 集好芯城
    集好芯城

    聯(lián)系人:陳先生 13360533550

    電話:0755-83289799

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路漢國城市商業(yè)中心55層 香港新界葵興葵康大廈6樓

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 31360

  • TI(德州儀器)

  • 22+

  • -
  • 原裝原廠現(xiàn)貨

  • CSD25404Q3
    CSD25404Q3

    CSD25404Q3

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:18724450645

    地址:中國上海

  • 321158

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • 優(yōu)勢庫存,原裝正品

  • CSD25404Q3
    CSD25404Q3

    CSD25404Q3

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 321158

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價格

  • CSD25404Q3T
    CSD25404Q3T

    CSD25404Q3T

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • CSD25404Q3
    CSD25404Q3

    CSD25404Q3

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯(lián)系人:李先生

    電話:0755-292759351581559886118576729816

    地址:廣東省 深圳市 福田區(qū) 華強北賽格科技園6C18室

  • 69800

  • TI

  • 近兩年生產(chǎn)

  • 8-TDFN

  • -
  • 每一片都來自原廠

  • CSD25404Q3
    CSD25404Q3

    CSD25404Q3

  • 深圳市品業(yè)電子有限公司
    深圳市品業(yè)電子有限公司

    聯(lián)系人:李小姐

    電話:0755-23895664

    地址:華強街道振華路深紡大廈C座2樓2H55

  • 8520

  • TI

  • SON3x3

  • 18+

  • -
  • 只做原裝正品 現(xiàn)貨 價格優(yōu)勢

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
CSD25404Q3 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • P 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 104A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 1.8V,4.5V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 1.15V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值)
  • 14.1nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值)
  • ±12V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
  • 2120pF @ 10V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 2.8W(Ta),96W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 6.5 毫歐 @ 10A,4.5V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 8-VSON(3.3x3.3)
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerVDFN
  • 標準包裝
  • 1
CSD25404Q3 技術(shù)參數(shù)
  • CSD25402Q3A 功能描述:MOSFET P-CH 20V 72A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):72A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8.9 毫歐 @ 10A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.15V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):9.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1790pF @ 10V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON(3.3x3.3) 標準包裝:1 CSD25401Q3 功能描述:MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):14A(Ta),60A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11.7 毫歐 @ 10A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1400pF @ 10V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON(3.3x3.3) 標準包裝:1 CSD25310Q2 功能描述:MOSFET P-CH 20V 48A 6SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):20A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):23.9 毫歐 @ 5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):655pF @ 10V 功率 - 最大值:2.9W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:* 封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:6-WSON(2x2) 標準包裝:1 CSD25304W1015T 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):32.5 毫歐 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.15V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):595pF @ 10V 功率 - 最大值:750mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UFBGA,DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:6-DSBGA 標準包裝:1 CSD25304W1015 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):32.5 毫歐 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.15V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):595pF @ 10V 功率 - 最大值:750mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UFBGA,DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:6-DSBGA 標準包裝:1 CSD25485F5 CSD25485F5T CSD25501F3 CSD25501F3T CSD2-6832FL/39-25-5B CSD2-7152FL/39-25-5B CSD30208 CSD302410 CSD302412 CSD30248 CSD30308 CSD3080H CSD3120H CSD3160H CSD33V CSD36 CSD36248 CSD363012
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