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CSD25481F4T

配單專家企業名單

型號
供應商
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廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

CSD25481F4T
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業執照
321308
TI
con
24+
-

CSD25481F4T
北京天陽誠業科貿有限公司
北京天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
145
TI
con
24+
-
集成電路（IC）

CSD25481F4T
天陽誠業科貿有限公司
天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
321308
TI
con
24+
-

CSD25481F4T
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
TI
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

CSD25481F4T
深圳市銘昌源科技有限公司
深圳市銘昌源科技有限公司
聯系人：優質現貨代理商
電話：0755-82774613鄧先生（13480915249）微信同步0755-82774613鄧先生
地址：深圳市福田區振興路上步商務中心大廈205棟5A10
資質：營業執照
53202
Texas Instruments
SMD
22+
-
優勢代理，公司現貨可開票

CSD25481F4T
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室
321308
TI
con
24+
-
現貨常備京北通宇商城可查價格

CSD25481F4T
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室
資質：營業執照
321308
TI
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

CSD25481F4T
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業執照
145
TI
con
24+
-
集成電路（IC）

CSD25481F4T
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：王
電話：18724450645
地址：中國上海
321308
TI
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

CSD25481F4T
深圳市海天鴻電子科技有限公司
深圳市海天鴻電子科技有限公司
聯系人：彭小姐、劉先生、李小姐
電話：0755-82552857-80913528851884（周日專線）
地址：深圳市福田區中航路中航北苑大廈A座22A3號
資質：營業執照
7500
TI
原廠原裝
1706+
-
只做原裝一手貨源，代理商分銷庫存

CSD25481F4T
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3
資質：營業執照
0
Ti
(YJC)
19
-
瑞智芯只有原裝

CSD25481F4T
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
Texas Instruments
標準封裝
15+
-
百分百原裝假一罰十

CSD25481F4T
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

CSD25481F4T
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
9360
TEXAS INS
1521+
-
全新原裝現貨

CSD25481F4T
深圳市鵬威爾科技有限公司
深圳市鵬威爾科技有限公司
聯系人：胡慶偉
電話：13138879988
地址：深圳市寶安區新安街道翻身路117號富源商貿中心D棟601
4000
TI
ORIGONAL
16+
-
0.1121 USD,szpoweric...

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功能描述
MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
制造商
texas instruments
系列
FemtoFET?
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
有效
FET 類型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
2.5A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
88 毫歐 @ 500mA，8V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
0.91nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
189pF @ 10V
功率 - 最大值
500mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
3-XFDFN
供應商器件封裝
3-PICOSTAR
標準包裝
1

CSD25481F4T 技術參數

CSD25481F4 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:88 毫歐 @ 500mA，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.913nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:189pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 供應商器件封裝:3-PICOSTAR 標準包裝:1 CSD25480F3T 功能描述:-20V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 400mA，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.91nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:155pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 供應商器件封裝:3-PICOSTAR 標準包裝:1 CSD25404Q3T 功能描述:MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:104A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 10A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2120pF @ 10V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:* 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）標準包裝:1 CSD25404Q3 功能描述:MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:104A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:14.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2120pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），96W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 10A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）封裝/外殼:8-PowerVDFN 標準包裝:1 CSD25402Q3A 功能描述:MOSFET P-CH 20V 72A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:72A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.9 毫歐 @ 10A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1790pF @ 10V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）標準包裝:1 CSD2-7152FL/39-25-5B CSD30208 CSD302410 CSD302412 CSD30248 CSD30308 CSD3080H CSD3120H CSD3160H CSD33V CSD36 CSD36248 CSD363012 CSD36308 CSD36368 CSD41V CSD4315A.A0-900035 CSD43301Q5M