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CSD25304W1015T

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CSD25304W1015T
    CSD25304W1015T

    CSD25304W1015T

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • 50

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • CSD25304W1015T
    CSD25304W1015T

    CSD25304W1015T

  • 深圳市海天鴻電子科技有限公司
    深圳市海天鴻電子科技有限公司

    聯系人:彭小姐、劉先生、李小姐

    電話:0755-82552857-80913528851884(周日專線)

    地址:深圳市福田區中航路中航北苑大廈A座22A3號

    資質:營業執照

  • 7500

  • TI

  • 原廠原裝

  • 1708+

  • -
  • 只做原裝 一手貨源,代理商分銷庫存

  • CSD25304W1015T
    CSD25304W1015T

    CSD25304W1015T

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯系人:李先生

    電話:0755-8308997518573537851

    地址:深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3

    資質:營業執照

  • 0

  • Ti

  • DSBGA (YZC)

  • 21

  • -
  • 瑞智芯 只有原裝

  • CSD25304W1015T
    CSD25304W1015T

    CSD25304W1015T

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 5000

  • Texas Instruments

  • 標準封裝

  • 15+

  • -
  • 百分百原裝假一罰十

  • CSD25304W1015T
    CSD25304W1015T

    CSD25304W1015T

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • CSD25304W1015T
    CSD25304W1015T

    CSD25304W1015T

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 27106

  • TI/德州儀器

  • N/A

  • 21+

  • -
  • 瑞智芯, 只有原裝

  • CSD25304W1015T
    CSD25304W1015T

    CSD25304W1015T

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 4600

  • TEXAS INS

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共15條 
  • 1
CSD25304W1015T PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 20V
  • 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
  • 3A(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 32.5 毫歐 @ 1.5A,4.5V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 1.15V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 4.4nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 595pF @ 10V
  • 功率 - 最大值
  • 750mW
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 6-UFBGA,DSBGA
  • 供應商器件封裝
  • 6-DSBGA
  • 標準包裝
  • 1
CSD25304W1015T 技術參數
  • CSD25304W1015 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):32.5 毫歐 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.15V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):595pF @ 10V 功率 - 最大值:750mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UFBGA,DSBGA 供應商器件封裝:6-DSBGA 標準包裝:1 CSD25303W1015 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):58 毫歐 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):435pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UFBGA,DSBGA 供應商器件封裝:6-DSBGA(1x1.5) 標準包裝:1 CSD25302Q2 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5A 6SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):49 毫歐 @ 3A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):350pF @ 10V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:6-SON 標準包裝:1 CSD25301W1015 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):75 毫歐 @ 1A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):270pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UFBGA,DSBGA 供應商器件封裝:6-DSBGA(1x1.5) 標準包裝:1 CSD25213W10 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.6A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):47 毫歐 @ 1A、 4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):478pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-UFBGA,DSBGA 供應商器件封裝:4-DSBGA(1x1) 標準包裝:1 CSD25483F4 CSD25483F4T CSD25484F4 CSD25484F4T CSD25485F5 CSD25485F5T CSD25501F3 CSD25501F3T CSD2-6832FL/39-25-5B CSD2-7152FL/39-25-5B CSD30208 CSD302410 CSD302412 CSD30248 CSD30308 CSD3080H CSD3120H CSD3160H
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