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CSD25303W1015

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CSD25303W1015
    CSD25303W1015

    CSD25303W1015

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • TEXAS

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝正品現貨!

  • CSD25303W1015
    CSD25303W1015

    CSD25303W1015

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯系人:彭先生

    電話:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田區華強北街道荔村社區振興路120號賽格科技園4棟中10層10A28

    資質:營業執照

  • 6000

  • TI

  • DSBGA6

  • 22+

  • -
  • 十年配單,只做原裝

  • CSD25303W1015
    CSD25303W1015

    CSD25303W1015

  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:134242936540755-83690762

    地址:深圳市福田區福虹路世界貿易廣場A座1503

    資質:營業執照

  • 3000

  • TI

  • DSBGA

  • 1301+

  • -
  • 原廠特價貨源

  • CSD25303W1015
    CSD25303W1015

    CSD25303W1015

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 638850

  • TI

  • DSBGA6

  • 最新批次

  • -
  • OEM渠道,價格超越代理!

  • CSD25303W1015
    CSD25303W1015

    CSD25303W1015

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯系人:李先生

    電話:0755-292759351581559886118576729816

    地址:廣東省 深圳市 福田區 華強北賽格科技園6C18室

  • 5490

  • TI

  • 新年份

  • BGA-6

  • -
  • 自己現貨特價

  • CSD25303W1015
    CSD25303W1015

    CSD25303W1015

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 20

  • TEXAS INS

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • CSD25303W1015
    CSD25303W1015

    CSD25303W1015

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:何芝

    電話:19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 6010

  • TI

  • DSBGA6

  • 13+

  • -
  • 原裝正品現貨庫存

  • 1/1頁 40條/頁 共18條 
  • 1
CSD25303W1015 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET PCh NexFET Pwr MOSFET
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
CSD25303W1015 技術參數
  • CSD25302Q2 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5A 6SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):49 毫歐 @ 3A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):350pF @ 10V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:6-SON 標準包裝:1 CSD25301W1015 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):75 毫歐 @ 1A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):270pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UFBGA,DSBGA 供應商器件封裝:6-DSBGA(1x1.5) 標準包裝:1 CSD25213W10 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.6A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):47 毫歐 @ 1A、 4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):478pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-UFBGA,DSBGA 供應商器件封裝:4-DSBGA(1x1) 標準包裝:1 CSD25211W1015 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3.2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):33 毫歐 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):570pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UFBGA,DSBGA 供應商器件封裝:6-DSBGA(1x1.5) 標準包裝:1 CSD25202W15T 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):26 毫歐 @ 2A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.05V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):7.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1010pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:9-UFBGA,DSBGA 供應商器件封裝:9-DSBGA 標準包裝:1 CSD25481F4 CSD25481F4T CSD25483F4 CSD25483F4T CSD25484F4 CSD25484F4T CSD25485F5 CSD25485F5T CSD25501F3 CSD25501F3T CSD2-6832FL/39-25-5B CSD2-7152FL/39-25-5B CSD30208 CSD302410 CSD302412 CSD30248 CSD30308 CSD3080H
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