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CSD23381F4

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

CSD23381F4
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層
30000
TI
UFBGA-6
21+
-

CSD23381F4
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
18000
TI
XFDFN-3
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

CSD23381F4
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
TI/德州儀器
USBGA-6
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

CSD23381F4
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：王
電話：18724450645
地址：中國上海
321145
TI
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

CSD23381F4
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業執照
33
TI
con
24+
-
集成電路（IC）

CSD23381F4
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業執照
321145
TI
con
24+
-

CSD23381F4
北京天陽誠業科貿有限公司
北京天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
33
TI
con
24+
-
集成電路（IC）

CSD23381F4
天陽誠業科貿有限公司
天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
321145
TI
con
24+
-

CSD23381F4
深圳市海天鴻電子科技有限公司
深圳市海天鴻電子科技有限公司
聯系人：彭小姐、劉先生、李小姐
電話：0755-82552857-80913528851884（周日專線）
地址：深圳市福田區中航路中航北苑大廈A座22A3號
資質：營業執照
7500
TI
原廠原裝
1716+
-
只做原裝一手貨源，代理商分銷庫存

CSD23381F4
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室
資質：營業執照
321145
TI
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

CSD23381F4
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室
321145
TI
con
24+
-
現貨常備京北通宇商城可查價格

CSD23381F4
深圳市深科創科技有限公司
深圳市深科創科技有限公司
聯系人：吳先生/吳小姐/朱先生
電話：0755-832472900755-828652018324751083223957
地址：深圳市福田區航都大廈17F1可提供13%增值稅發票
7500
TI/德州儀器
UNKNOWN
2020+
-
全新原裝現貨渠道優勢庫存假一罰十

CSD23381F4
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

CSD23381F4T
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
Texas Instruments
標準封裝
15+
-
百分百原裝假一罰十

CSD23381F4
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
638850
TI
PICOSTAR
最新批次
-
OEM渠道，價格超越代理！

CSD23381F4T
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
7450
TEXAS INS
1521+
-
全新原裝現貨

CSD23381F4
深圳市芯馳科技有限公司
深圳市芯馳科技有限公司
聯系人：丁皓鵬
電話：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331
資質：營業執照
100000
TEXAS INSTRUMENTS
N/A
15+
-
原裝正品價格優勢！

CSD23381F4
東莞鼎岑科技有限公司
東莞鼎岑科技有限公司
聯系人：莫
電話：18925581989
地址：廣東省東莞市塘廈鎮林村大道445號北鉅業大夏319室
95904
TEXAS INSTRUMENTS
20+
-

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制造商
Texas Instruments
功能描述
MOSFET P-CH 12V LGA

CSD23381F4 技術參數

CSD23285F5T 功能描述:12V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.4A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 1A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:628pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 供應商器件封裝:3-PICOSTAR 標準包裝:1 CSD23285F5 功能描述:MOSFET P-CH 12V 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.4A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:4.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:-6V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:628pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 1A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 CSD23280F3T 功能描述:MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.8A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:116 毫歐 @ 400mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:0.95V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.23nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:234pF @ 6V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 供應商器件封裝:3-PICOSTAR 標準包裝:1 CSD23280F3 功能描述:MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.8A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:0.95V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.23nC @ 4.5V Vgs（最大值）:-6V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:234pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:116 毫歐 @ 400mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 CSD23203WT 功能描述:MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:8V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19.4 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:914pF @ 4V 功率 - 最大值:750mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UFBGA，DSBGA 供應商器件封裝:6-DSBGA 標準包裝:1 CSD242410W CSD242412 CSD24246 CSD24248 CSD24248SS CSD2425 CSD2425-10 CSD2425F CSD2425P CSD24308 CSD2440 CSD2450 CSD2475 CSD2490 CSD25201W15 CSD25202W15 CSD25202W15T CSD25211W1015

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