您現在的位置：買賣IC網 > C字母型號搜索 > C字母第4787頁 >

CSD19538Q3AT

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

CSD19538Q3AT
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：王
電話：18724450645
地址：中國上海
320338
TI
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

CSD19538Q3AT
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
6000
TI/德州儀器
VSONP-8
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

CSD19538Q3AT
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室
資質：營業執照
320338
TI
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

CSD19538Q3AT
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室
320338
TI
con
24+
-
現貨常備京北通宇商城可查價格

CSD19538Q3AT
天陽誠業科貿有限公司
天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
320338
TI
con
24+
-

CSD19538Q3AT
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業執照
320338
TI
con
24+
-

CSD19538Q3AT
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
TI
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

CSD19538Q3AT
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3
資質：營業執照
0
Ti
(DNH)
20
-
瑞智芯只有原裝

CSD19538Q3AT
深圳市德江源電子有限公司
深圳市德江源電子有限公司
聯系人：張先生
電話：8296641615986789713
地址：深圳市福田區華強北街道振華路100號深紡大廈C座1A層1A621室
資質：營業執照
13000
TI/德州儀器
VSONP-8
20+
-
只做原裝，假一賠十

CSD19538Q3AT
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

CSD19538Q3AT
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3
29302
TI/德州儀器
N/A
21+
-
瑞智芯，只有原裝

CSD19538Q3AT
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業執照
4654
TI 德州儀器
VSONP-8
2237+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現貨！

1/1頁 40條/頁共7條
1

您是不是要找： CSD2 CSD20030D CSD20060D CSD201610 CSD20166 CSD20168 CSD20168SS CSD202010 CSD202012

CSD19538Q3AT PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

CSD19538Q3AT PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 100V 15A VSONP
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
新產品
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
15A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
59 毫歐 @ 5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3.8V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
4.3nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
454pF @ 50V
功率 - 最大值
2.8W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerVDFN
供應商器件封裝
8-VSONP（3x3.15）
標準包裝
1

CSD19538Q3AT 技術參數

CSD19538Q3A 功能描述:MOSFET N-CH 100V 15A VSONP 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:新產品 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:59 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:454pF @ 50V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:8-VSONP（3x3.15）標準包裝:1 CSD19538Q2T 功能描述:MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:新產品 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:13.1A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:59 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:454pF @ 50V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:6-WSON（2x2）標準包裝:1 CSD19538Q2 功能描述:MOSFET NCH 100V 14.4A SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:14.4A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:5.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:454pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）, 20.2W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:59 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-WSON（2x2）封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤標準包裝:1 CSD19537Q3T 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:50A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14.5 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1680pF @ 50V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）標準包裝:1 CSD19537Q3 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:新產品 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:50A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14.5 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1680pF @ 50V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）標準包裝:1 CSD20206 CSD20208 CSD20208SS CSD20248 CSD22202W15 CSD22204W CSD22204WT CSD22205L CSD22205LT CSD22206W CSD22206WT CSD23201W10 CSD23202W10 CSD23202W10T CSD23203W CSD23203WT CSD23280F3 CSD23280F3T