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DFE252010P-1R5M=P2

配單專家企業名單

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封裝
批號
價格
說明
操作

DFE252010P-1R5M=P2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
6000
Murata Electronics North
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百正品

DFE252010P-1R5M=P2
深圳市百潤電子有限公司
深圳市百潤電子有限公司
聯系人：梁
電話：17876146278
地址：沙頭街道下沙社區濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A
3528
XILINX
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23+
-
全新原裝正品*海量現貨庫存*全網最低

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DFE252010P-1R5M=P2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

DFE252010P-1R5M=P2 PDF下載

功能描述
1.5μH Shielded Wirewound Inductor 3A 82 mOhm Max 1008 (2520 Metric)
制造商
murata electronics north america
系列
DFE252010P
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
有效
類型
繞線
材料 - 磁芯
鐵粉
電感
1.5μH
容差
±20%
額定電流
3A
電流 - 飽和值
-
屏蔽
屏蔽
DC 電阻（DCR）
82 毫歐最大
不同頻率時的 Q 值
-
頻率 - 自諧振
-
等級
-
工作溫度
-40°C ~ 125°C
頻率 - 測試
1MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
1008（2520 公制）
大小/尺寸
0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）
高度 - 安裝（最大值）
0.039"（1.00mm）
標準包裝
1

DFE252010P-1R5M=P2 技術參數

DFE252010P-1R2M=P2 功能描述:1.2μH Shielded Wirewound Inductor 3.2A 68 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010P 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:1.2μH 容差:±20% 額定電流:3.2A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:68 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 DFE252010P-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 3.8A 54 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010P 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:1μH 容差:±20% 額定電流:3.8A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:54 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 DFE252010F-R82M=P2 功能描述:820nH Shielded Inductor 3.3A 40 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010F 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉電感:820nH 容差:±20% 額定電流:3.3A 電流 - 飽和值:5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:40 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 DFE252010F-R68M=P2 功能描述:680nH Shielded Inductor 3.5A 37 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010F 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉電感:680nH 容差:±20% 額定電流:3.5A 電流 - 飽和值:5.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:37 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 DFE252010F-R47M=P2 功能描述:470nH Shielded Inductor 4.4A 27 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010F 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉電感:470nH 容差:±20% 額定電流:4.4A 電流 - 飽和值:6.6A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:27 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 DFE252010R-H-4R7M=P2 DFE252012F-100M=P2 DFE252012F-1R0M=P2 DFE252012F-1R5M=P2 DFE252012F-2R2M=P2 DFE252012F-3R3M=P2 DFE252012F-4R7M=P2 DFE252012F-6R8M=P2 DFE252012F-8R2M=P2 DFE252012F-R33M=P2 DFE252012F-R47M=P2 DFE252012F-R68M=P2 DFE252012F-R82M=P2 DFE252012P-1R0M=P2 DFE252012P-1R5M=P2 DFE252012P-2R2M=P2 DFE252012P-3R3M=P2 DFE252012P-4R7M=P2