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參數資料
型號: DG646BH25
廠商: DYNEX SEMICONDUCTOR LTD
元件分類: 晶閘管
英文描述: Gate Turn-off Thyristor
中文描述: 1361.19 A, 2500 V, GATE TURN-OFF SCR
封裝: H, 4 PIN
文件頁數: 14/19頁
文件大小: 219K
代理商: DG646BH25
DG646BH25
14/19
20
30
40
50
60
70
Rate of rise of reverse gate current dI
GQ
/dt - (A/μs)
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
G
g
Conditions:
C
= 2.0μF,
I
T
= 2000A
T
j
= 125
C
T
j
= 25
C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
Turn-off current I
T
- (A)
800
600
400
200
0
P
G
Conditions:
C
S
= 2.0μF,
dI
GQ
/dt = 40A/μs
T
j
= 25
C
T
j
= 125
C
Fig.23 Gate fall time vs rate of rise of reverse gate current
Fig.24 Peak reverse gate current vs turn-off current
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PDF描述
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