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參數資料
型號: DG646BH25
廠商: DYNEX SEMICONDUCTOR LTD
元件分類: 晶閘管
英文描述: Gate Turn-off Thyristor
中文描述: 1361.19 A, 2500 V, GATE TURN-OFF SCR
封裝: H, 4 PIN
文件頁數: 9/19頁
文件大小: 219K
代理商: DG646BH25
DG646BH25
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0
20
40
60
80
Peak forward gate current I
FGM
- (A)
Fig.14 Delay time & rise time vs peak forward gate current
4.0
3.0
2.0
1.0
0
T
μ
s
Conditions:
T
j
= 125
C, I
T
= 2000A,
C
S
= 2.0
μ
F,
R
= 10 Ohms,
dI/dt = 300A/
μ
s,
dI
FG
/dt = 30A/
μ
s,
V
D
= 1500V
5.0
t
d
t
r
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
On-state current I
T
- (A)
4.0
3.0
2.0
1.0
0
T
μ
s
Conditions: T
j
= 125
C, I
FGM
= 30A,
C
S
= 2.0
μ
F, V
= 1500V,
R
S
= 10
, dI
T
/dt = 300A/
μ
s, dI
F
/dt = 30A/
μ
s
t
d
t
r
Fig.13 Delay time & rise time vs turn-on current
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PDF描述
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