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參數資料
| 型號： | DG646BH25 |
| 廠商： | DYNEX SEMICONDUCTOR LTD |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | Gate Turn-off Thyristor |
| 中文描述： | 1361.19 A, 2500 V, GATE TURN-OFF SCR |
| 封裝： | H, 4 PIN |
| 文件頁數： | 4/19頁 |
| 文件大小： | 219K |
| 代理商： | DG646BH25 |
DG646BH25
4/19
CURVES
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Junction temperature T
j
- (
C)
Fig.1 Maximum gate trigger voltage/current vs junction temperature
0
2.0
4.0
6.0
8.0
G
G
0
0.5
1.0
1.5
2.0
G
G
I
GT
V
GT
0
1.0
Instantaneous on-state voltage V
TM
- (V)
2.0
3.0
4.0
5.0
0
1000
2000
3000
4000
I
T
Measured under pulse conditions.
I
= 7A
Half sine wave 10ms
T
j
= 125
C
T
j
= 25
C
Fig.2 On-state characteristics
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DG648BH | GTO Thyristor - Asymmetric - Disc / Puk Devices |
| DG648BH45 | Gate Turn-off Thyristor |
| DG758BX | GTO Thyristor - Asymmetric - Disc / Puk Devices |
| DG758BX45 | ER 26C 26#16 SKT PLUG |
| DGL-13-1 | Sample/Track-and-Hold Amplifier |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| DG646BH25-148 | 制造商:Dynex Semiconductor 功能描述:SCR - PHASE CONTROL THYRISTOR |
| DG648BH | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:GTO Thyristor - Asymmetric - Disc / Puk Devices |
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