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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DG646BH25 |
| 廠商： | DYNEX SEMICONDUCTOR LTD |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | Gate Turn-off Thyristor |
| 中文描述： | 1361.19 A, 2500 V, GATE TURN-OFF SCR |
| 封裝： | H, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 7/19頁 |
| 文件大小： | 219K |
| 代理商： | DG646BH25 |
DG646BH25
7/19
0
20
40
60
80
Peak forward gate current I
FGM
- (A)
2000
1500
1000
500
0
T
O
Conditions:
T
j
= 25
C, I
= 2000A,
C
= 2.0
μ
F, R
S
= 10 Ohms
dI/dt = 300A/
μ
s,
dI
FG
/dt = 30A/
μ
s
V
D
= 1500V
V
D
= 1000V
V
D
= 750V
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
On-state current I
T
- (A)
2000
1500
1000
500
0
T
O
Conditions:
T
j
= 25
C, I
= 30A,
C
= 2.0
μ
F, R
S
= 10
,
dI/dt = 300A/
μ
s,
dI
FG
/dt = 30A/
μ
s
V
D
= 1500V
V
D
= 1000V
V
D
= 750V
Fig.8 Turn-on energy vs on-state current
Fig.9 Turn-on energy vs peak forward gate current
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DG648BH | GTO Thyristor - Asymmetric - Disc / Puk Devices |
| DG648BH45 | Gate Turn-off Thyristor |
| DG758BX | GTO Thyristor - Asymmetric - Disc / Puk Devices |
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| DGL-13-1 | Sample/Track-and-Hold Amplifier |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DG646BH25_05 | 制造商:DYNEX 制造商全稱:Dynex Semiconductor 功能描述:Gate Turn-off Thyristor |
| DG646BH25-125A | 制造商:Dynex Semiconductor 功能描述:GTO THYRISTOR |
| DG646BH25-148 | 制造商:Dynex Semiconductor 功能描述:SCR - PHASE CONTROL THYRISTOR |
| DG648BH | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:GTO Thyristor - Asymmetric - Disc / Puk Devices |
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