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分離式半導體產品 SI8800EDB-T2-E1品牌、價格、PDF參數

SI8800EDB-T2-E1 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數量 價格
SI8800EDB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT 12,000 3,000:$0.15655
6,000:$0.14645
15,000:$0.13635
30,000:$0.12878
75,000:$0.12625
150,000:$0.12120
SI8800EDB-T2-E1 • PDF參數
類別: 分離式半導體產品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: -
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 80 毫歐 @ 1A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 8.3nC @ 8V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 500mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 4-XFBGA,CSPBGA
供應商設備封裝: 4-Microfoot
包裝: 帶卷 (TR)
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