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IGBT 模塊 BSM10GD120DN2E3224品牌、價格、PDF參數

BSM10GD120DN2E3224 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數量 價格(人民幣)
BSM10GD120DN2E3224 Infineon Technologies IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 15A 可訂貨
BSM100GB120DN2 Infineon Technologies IGBT 模塊 1200V 100A DUAL 可訂貨
BSM150GB120DN2 Infineon Technologies IGBT 模塊 1200V 150A DUAL 可訂貨
BSM10GD120DN2E3224 • PDF參數
類別: RF/IF 和 RFID >> IGBT 模塊
描述: IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 15A
RoHS:
PDF參數:
制造商 Infineon Technologies
產品 IGBT Silicon Modules
配置 Hex
集電極—發射極最大電壓 VCEO 1200 V
集電極—射極飽和電壓 2.7 V
在25 C的連續集電極電流 15 A
柵極—射極漏泄電流 120 nA
功率耗散 80 W
最大工作溫度 + 150 C
封裝 / 箱體 EconoPACK 2
封裝 Reel
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