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EPC2032

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • EPC2032
    EPC2032

    EPC2032

  • 北京天陽誠業科貿有限公司
    北京天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪先生

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

  • 0

  • EPC(宜普)

  • con

  • 24+

  • -
  • 晶體管

  • EPC2032
    EPC2032

    EPC2032

  • 廣東濟德精密電子有限公司
    廣東濟德精密電子有限公司

    聯系人:

    電話:18724450645

    地址:東莞市大朗鎮松木山村德利路1號2棟2樓

  • 30

  • EPC(宜普)

  • NA

  • 23+

  • -
  • 現貨!就到京北通宇商城

  • EPC2032
    EPC2032

    EPC2032

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • EPC2032ENGRT
    EPC2032ENGRT

    EPC2032ENGRT

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 5000

  • EPC

  • *

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
EPC2032 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
  • 制造商
  • epc
  • 系列
  • eGaN?
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態
  • 有效
  • FET 類型
  • GaNFET N 通道,氮化鎵
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 100V
  • 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
  • 48A(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 4 毫歐 @ 30A,5V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.5V @ 11mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 15nC @ 5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 1530pF @ 50V
  • 功率 - 最大值
  • -
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 模具
  • 供應商器件封裝
  • 模具
  • 標準包裝
  • 1
EPC2032 技術參數
  • EPC2031ENGRT 功能描述:TRANS GAN 60V 2.6MOHM BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:新產品 FET 類型:GaNFET N 通道,氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):31A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.6 毫歐 @ 30A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 15mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1800pF @ 300V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 EPC2031ENGR 功能描述:TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤 零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道,氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):31A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.6 毫歐 @ 30A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 15mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1800pF @ 300V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:10 EPC2031 功能描述:MOSFET NCH 60V 31A DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:GaNFET(氮化鎵) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):31A(Ta) 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 15mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):17nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1800pF @ 300V FET 功能:- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.6 毫歐 @ 30A,5V 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 標準包裝:1 EPC2030ENGRT 功能描述:TRANS GAN 40V 2.4MOHM BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:新產品 FET 類型:GaNFET N 通道,氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):31A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.4 毫歐 @ 30A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 16mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1900pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 EPC2030ENGR 功能描述:TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤 零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道,氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):31A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.4 毫歐 @ 30A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 16mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1900pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:10 EPC2036 EPC2036ENGRT EPC2037 EPC2037ENGR EPC2038 EPC2038ENGR EPC2039 EPC2039ENGRT EPC2040 EPC2040ENGR EPC2040ENGRT EPC2045ENGRT EPC2046ENGRT EPC2047ENGRT EPC2049ENGRT EPC2100 EPC2100ENG EPC2100ENGRT
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