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參數資料
| 型號： | F49L800UA |
| 廠商： | Elite Semiconductor Memory Technology Inc. |
| 英文描述： | 8 Mbit (1M x 8/512K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位（100萬x 8/512K × 16）3V時僅閃存的CMOS |
| 文件頁數： | 21/47頁 |
| 文件大小： | 435K |
| 代理商： | F49L800UA |
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ES MT
10.1 Read Operation
F49L800UA/F49L800BA
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : May. 2007
Revision: 1.2 21/47
TA = 0C to 70C, V
CC
= 2.7V~3.6V
Table 10. Read Operations
-70
-90
Symbol
Description
Conditions
Min.
70
Max.
Min.
90
Max.
Unit
t
RC
Read Cycle Time (Note 1)
ns
t
ACC
Address to Output Delay
CE
=
OE
= V
IL
70
90
ns
t
CE
CE
to Output Delay
OE
= V
IL
70
90
ns
t
OE
OE
to Output Delay
CE
= V
IL
30
35
ns
t
DF
OE
High to Output Float
(Note1)
CE
= V
IL
25
30
ns
Output Enable
Read
0
0
ns
t
OEH
Hold Time
Toggle and
Data Polling
10
10
ns
t
OH
Address to Output hold
CE
=
OE
= V
IL
0
0
ns
Notes :
1. Not 100% tested.
2. t
DF
is defined as the time at which the output achieves the open circuit condition and data is no longer
driven.
Figure 5. Read Timing Waveform
t
RC
Addresses Stable
Output Valid
Address
High- Z
CE
W E
0V
RY/BY
RESET
OE
Outputs
High- Z
t
AC C
t
O E H
t
O E
t
O H
t
D F
t
CE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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